[토토 사이트 커뮤니티 김언한 기자] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)3E 12단 제품의 샘플을 이달 공급하고, 3분기부터 양산한다. 또 미국 인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 후공정을 시작, HBM을 만들 계획이다.

SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 기자간담회를 열고 이 같은 내용을 공개했다.

곽노정 대표이사 사장은 "현재 SK하이닉스의 HBM은 생산 측면에서 이미 솔드아웃(완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다"면서 "리더십을 더 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 이달 제공하고, 3분기에 양산이 가능하도록 준비 중"이라고 말했다.

회사는 16단 HBM4에도 기존과 같은 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 방식을 유지할 것이라고 밝혔다. 다만 새로운 기술인 하이브리드 본딩 기술에 대해서도 선제적으로 검토한다는 계획이다.

MR-MUF는 칩 사이 공간에 특수한 물질을 채워 붙이는 접합 기술로 SK하이닉스는 HBM2E부터 이를 사용했다. 하이브리드 본딩은 기존 범프 대신 구리와 구리 간 접합을 통해 반도체를 연결하는 차세대 기술이다.

최우진 패키지&테스트(P&T)담당 부사장은 "최근 도입한 어드밴스드 MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다"고 말했다.

이어 "결과적으로 어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어에도 탁월한 고온·저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션으로 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중"이라고 했다.

또 최 부사장은 "인디애나 공장은 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라며 "인디애나는 미국 중서부를 중심으로 한 반도체 생태계인 실리콘 하트랜드의 주요 거점"이라고 소개했다.

청주 M15X에 대한 발표도 이어졌다. 김영식 제조기술담당 부사장은 "급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파 확대가 필요했고, 이미 부지가 확보돼있는 청주에 M15X를 건설하기로 했다"고 밝혔다.

이어 "지난달 M15X 팹 건설 공사에 착수했으며 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획"이라고 덧붙였다.

M15X는 연면적 6만3000평 규모의 복층 팹으로 지어진다. 극자외선(EUV) 노광공정을 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이다.

용인 클러스터와 관련해선 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 회사 팹 56만평, 소부장 업체 협력화 단지 14만평, 인프라 부지 12만평 등이 조성되고 있다고 소개했다. SK하이닉스 첫 팹은 내년 3월 공사 착수, 2027년 5월 준공될 예정이다.

김 부사장은 "SK하이닉스는 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 SK하이닉스와 협업해 반도체 생태계를 키워갈 것"이라고 말했다.