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삼성전자, 파운드리에 힘뺀다…HBM 등 고부가 메모리에 화력

돈 되는 HBM·DDR5 등 고부가 메모리에 집중 파운드리 투자 축소 발표, 라인 가동률 낮춰

2024-11-01     김언한 기자
삼성전자 서초사옥 전경. 사진=토토 사이트 커뮤니티

[토토 사이트 커뮤니티 김언한 기자] 삼성전자가 파운드리(반도체 수탁생산) 투자 규모를 축소하겠다고 밝힌 것은 당장 성과를 내기 어려운 사업에는 힘을 빼고, 돈이 되는 사업에 집중하겠다는 의지로 읽힌다. 고대역폭메모리(HBM), 엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 고부가 메모리 제품에 화력을 집중한다는 계획이다.

1일 업계에 따르면 삼성전자는 전날 공시를 통해 올해 시설투자 금액이 56조7000억원으로 예상된다고 밝혔다. 이는 역대 최대였던 2022년 53조원대보다 3조원가량 많다. 다만 파운드리 분야는 투자를 축소한다.

올해 3분기 삼성전자 파운드리사업부는 1조원 이상의 영업손실을 써낸 것으로 추정된다. 메모리반도체에서 영업이익은 최대 7조원에 육박한 것으로 추정되지만 파운드리 사업에서의 손실이 전체 디바이스솔루션(DS)부문 이익에 부정적 영향을 줬다.

3분기 DS부문 영업이익은 3조8600억원으로, 증권가에서 추정한 4조~5조원대에 크게 못 미쳤다. 여기에는 일회성 비용 영향도 있다. 성과급 등 일회성 비용에 대한 추정치는 1조원대다.

삼성전자는 파운드리 설비 가동률을 낮추는 한편 고부가 메모리에 힘을 더 실을 전망이다. 삼성전자는 최근 평택 파운드리 공장 일부 라인의 가동을 멈춘 데 이어 이를 확대할 계획이다.

사진=삼성전자 제공

7나노, 5나노, 4나노 등 미세공정을 담당하는 라인의 가동률을 떨어뜨리고 있다. 나아가 추가로 짓기로 한 P4·P5·P6의 완공 시점에 대해서도 속도 조절에 나선다. 특히 P4는 앞서 메모리반도체와 파운드리 생산을 모두 하는 곳으로 설계했으나 방향을 바꿔 D램 전용으로 구축한다.

업계 관계자는 "삼성전자가 TSMC와 경쟁이 안 되는 상황인데 수십조원을 투자해서 적자를 키우는 것은 방향성이 잘못된 것"이라며 "규모의 경제가 뒷받침되지 않는 상황에서 무리하게 선단 공정에만 투자해 온 방향성이 바뀌고 있는 것"이라고 말했다.

일각에선 삼성전자가 그동안 TSMC를 지나치게 의식해 기술 경쟁을 벌이려던 점이 발목을 잡았다고 분석한다. 3나노와 같은 최첨단 노드보다는 5나노, 7나노처럼 안정화된 공정에서 차별화 포인트를 확보해야 한다는 진단이다.

업계 관계자는 "삼성전자가 지나치게 최선단 공정에 리소스를 투입해온 측면이 있다"면서 "최선단 공정에서 성과를 내려면 엄청난 리소스가 투입돼야 하는데 이로 인해 다른 노드에서 차별화할 수 있는 기회조차 놓치게 된 것"이라고 진단했다.

결과적으로 전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)은 파운드리에 힘을 빼고 메모리에 집중하는 카드를 꺼낸 것으로 풀이된다. 업계에선 이와 관련해 연말 인사 폭과 조직 개편 규모가 예년보다 클 것으로 보고 있다. 앞으로는 돈 되는 사업인 HBM과 DDR5 등 고부가 메모리 생산을 늘려 이익을 극대화하는 전략을 펼 것이란 관측이 나온다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전 세계 파운드리 시장에서 TSMC는 62.3%의 점유율을 차지했다. 삼성전자(11.5%)와의 격차는 50.8%포인트(p)였다.