'감산 터널' 끝 보인다...삼성전자·SK하이닉스, D램 웨이퍼 투입 확대 전망
한화투자증권 분석, 4분기에 감산 이전 수준 회복 전망
[토토 사이트 커뮤니티 김언한 기자] 올해 4분기가 되면 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 웨이퍼(반도체 원판) 투입량이 감산 이전 수준으로 회복될 전망이다. 특히 SK하이닉스 대비 D램에서 인위적 감산 폭이 컸던 삼성전자가 큰 회복세를 보일 것이란 관측이 나온다.
최근 한화투자증권은 올해 4분기 삼성전자의 월 평균 D램 웨이퍼 투입량이 70만장 수준이 될 것으로 분석했다. 인위적 감산을 공식화하기 전인 2022년 4분기 삼성전자의 월 웨이퍼 투입량은 67만장 정도였다.
삼성전자는 올해 1분기부터 웨이퍼 투입량을 전 분기 대비 늘리고 있다. D램 웨이퍼 투입량이 전 분기보다 증가한 것은 지난해 1분기 이후 5개 분기만이다.
더블데이터레이트(DDR)5와 고대역폭메모리(HBM) 수요 확대에 힘입은 바가 크다. 특히 삼성전자는 10나노 초반대 D램 기반의 서버용 DDR5의 기술적 이슈를 해결하면서 관련 D램 출하량이 지난해 4분기부터 증가하고 있는 것으로 알려졌다.
한화투자증권은 올해 4분기 삼성전자의 D램 월 웨이퍼 투입량이 전년 동기 대비 54% 늘어날 것으로 분석했다. 단순히 웨이퍼 투입량 회복세만 놓고 보면 SK하이닉스보다 2배 이상 큰 것이다.
올해 4분기 SK하이닉스의 월 평균 D램 웨이퍼 투입량은 45만장 수준이 될 것으로 예상된다. 전년 동기 대비 23% 늘어날 것이란 전망이다. SK하이닉스가 인위적 감산을 발표하기 전인 2022년 2분기 월 평균 투입량 추정치 39만장보다 많아지는 셈이다.
2022년 10월 인위적 감산을 공식화했던 SK하이닉스는 D램에서 감산 폭이 삼성전자보다 작았다. 고부가 제품인 서버용 DDR5와 HBM에서 D램 업황 부진을 일부 만회한 결과다. 이 회사의 올해 1분기 D램 웨이퍼 투입량은 전분기와 비슷할 것으로 추정된다.
이 역시 고부가 D램인 DDR5와 HBM 수요가 증가하는 데 따른 것이다. 특히 HBM의 경우 일반 D램과 같은 수량의 제품을 만들려면 이보다 웨이퍼 투입을 최소 2배 이상 늘려야 한다.
다이(Die) 사이즈가 레거시(구형) D램과 비교해 큰 영향 때문이다. 웨이퍼 투입을 늘려도 완제품 생산 증가율이 상대적으로 제한적일 수밖에 없는 이유다. DDR5도 DDR4와 비교해 다이 사이즈가 커 상대적으로 많은 웨이퍼를 넣어야한다.
다만 고부가 제품과 달리 DDR4와 같은 레거시 D램에 대해서는 감산 체제가 유지될 것으로 파악된다. 업계 관계자는 "삼성전자는 올해 서버용 DDR5와 모바일용 LPDDR5 출하를 크게 늘린다는 계획"이라며 "올해는 고사양 D램 중심으로만 생산을 늘리고 수요가 약한 저사양 제품에 대해선 감산 기조를 유지할 것"이라고 말했다.
한편 시장조사업체 트랜드포스는 올해 1분기 전체 D램 평균계약가격이 전 분기 대비 13~18% 오를 것으로 전망했다. 특히 모바일 D램 가격은 18~23% 상승해 전체 D램 시장 회복세를 이끌 것으로 내다봤다.