[데일리한국 김언한 기자] 삼성전자가 조만간 게이트올어라운드(GAA) 기술로 3나노 반도체 양산을 시작할 것으로 전해졌다. 업계 최초로 차세대 공정인 GAA를 적용하는 데 의미가 있다. 

22일 업계에 따르면 삼성전자는 GAA 기반 3나노 반도체 공정의 양산과 관련해 다음주 공식 발표를 할 것으로 알려졌다. GAA는 게이트가 채널의 3면을 감싸고 있는 핀펫(FinFET)과 달리 채널의 4개면 모두를 감싸, 이를 통해 전류의 흐름을 높일 수 있는 기술이다.

삼성전자는 TSMC보다 한발 앞서 GAA 기술을 적용한다는 계획이다. 앞서 삼성전자는 올해 상반기 내로 GAA 기술을 통해 3나노 반도체를 양산하겠다는 목표를 제시했다. 

일각에선 삼성전자가 수율 문제로 3나노 양산을 연기하는 것이 아니냐는 관측이 나왔다. 하지만 삼성전자가 3나노 양산을 시작하면 TSMC보다 앞선 기술력을 증명하는 것이 된다. 

TSMC는 2나노 공정부터 GAA 공정을 적용한다는 계획이다. TSMC가 하반기에 선보일 3나노 반도체는 기존 핀펫 공정으로 생산된다. 같은 3나노라도 삼성전자가 GAA 기술을 적용한 제품보다 성능이 떨어진다. 

삼성전자의 GAA 기술은 TSMC와의 기술 격차를 좁히는 승부수가 될 것으로 예상된다. 삼성전자 관계자는 "3나노 공정에 GAA 공정을 세계 최초로 적용하는 의미가 크다"고 말했다.