[데일리한국 김언한 기자] 삼성전자가 업계 최초로 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드플래시 양산을 시작했다. TLC는 하나의 셀에 3비트 데이터를 기록할 수 있는 구조다. 양산을 시작한 낸드는 업계 최고 적층 단수인 290단 제품으로 추정된다.

23일 삼성전자에 따르면 이 제품에서 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현했다. 1Tb TLC 9세대 V낸드의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트의 수다.

더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성도 높였다. 더미 채널 홀은 셀 어레이에서 플레인(Plane)을 구분하기 위해 만들어진 동작을 수행하지 않는 채널 홀이다.

삼성전자의 '9세대 V낸드'는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭' 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다.

'채널 홀 에칭'이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히, 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화 및 고도화가 요구된다.

'9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

저전력 설계 기술도 탑재했다. 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량 및 고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장을 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'도 양산할 예정이다. 인공지능(AI) 시대에 요구되는 고용량 및 고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다. QLC는 하나의 셀에 4비트 데이터를 기록할 수 있는 구조다.