[데일리한국 김언한 기자] 대만의 파운드리(반도체 수탁생산) 기업 TSMC가 올해 하반기 3나노 반도체 양산을 시작한다.

18일 업계에 따르면 C.C 웨이(C.C. Wei) TSMC 최고경영자(CEO)는 지난 14일 실적발표 후 진행한 컨퍼런스콜에서 이같은 내용을 발표했다. 기존 계획대로 하반기에 3나노 공정을 시작하고, 2025년에는 2나노 공정의 양산을 본격화한다.

TSMC 측은 3나노 공정을 통해 여러 칩의 설계를 최종적으로 마쳤다며 이는 앞서 7나노, 5나노 공정의 경우보다 많을 것이라고 밝혔다. 대만 IT매체 디지타임스에 따르면 TSMC의 3나노 칩은 올해 나올 애플 아이패드 신제품에 최초로 들어간다.

3나노 공정은 내년 애플의 '바이오닉 A17', 퀄컴의 '스냅드래곤8 3세대', 미디어텍의 '디멘시티 9200' 등에 적용될 가능성이 있다. TSMC는 3나노 공정이 올해 본격적으로 확산될 것으로 기대하기는 어렵다는 점을 언급했다.

3나노 공정이 안착하면 10나노 이하의 공정 비중은 더 커질 전망이다. 지난해 4분기 TSMC에서 10나노 이하 공정의 매출은 전체의 절반을 차지했다. 올해 1분기 역시 전분기와 동일한 50%를 유지했다. 세부적으로는 7나노 30%, 5나노 20%의 비중을 차지했다.

올해 삼성전자와 TSMC의 3나노 공정 도입은 시기적으로 큰 차이가 나지 않을 것으로 전망된다. 삼성전자는 올해 상반기 안으로 3나노 반도체를 양산할 계획이다.

삼성전자는 TSMC와 달리 게이트올어라운드(GAA) 기술로 3나노 반도체를 양산하게 된다. GAA는 게이트가 채널의 3면을 감싸고 있는 핀펫(FinFET)과 달리 채널의 4개면 모두를 감싸, 이를 통해 전류의 흐름을 높일 수 있는 기술이다.

TSMC가 선보일 3나노는 기존 핀펫 공정으로 생산된다. 같은 3나노라도 삼성전자가 GAA 기술을 적용한 제품보다 성능이 떨어진다. TSMC는 2나노부터 GAA 기술을 적용한다는 방침이다.

삼성전자는 GAA 기술을 통해 내년 3나노 2세대 양산을 시작하고, 2025년 2나노 공정의 반도체를 양산한다는 계획을 세웠다. 삼성전자의 GAA 기술은 TSMC와의 기술 격차를 좁히는 승부수가 될 것으로 예상된다.

업계 관계자는 "삼성전자는 GAA 기술로 파운드리 분야에서 TSMC와 기술 격차를 좁히는 전환점을 마련할 수 있다"고 말했다.