9세대 V낸드 2024년 양산, 2030년까지 1000단 V낸드 등 혁신 가속화
5세대 10나노급 D램 2023년 양산…프리미엄 D램 시장 지속 주도

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 메모리사업부장 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공
5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 메모리사업부장 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공

[데일리한국 김언한 기자] 삼성전자가 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다.

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이 2022'를 개최하고 이같은 내용을 공개했다.

삼성전자는 오는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다. 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시한다든 계획이다. SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사들이 최근 200단 이상 낸드 출시를 발표한 상황에서 적층 경쟁에 적극 나설 것이란 의지를 보인 것으로 풀이된다.

삼성전자는 또 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(트리플레벨셀) 제품을 양산할 계획이라고 설명했다.

삼성전자는 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

삼성전자는 데이터센터, 인공지능 등 대용량 데이터가 필요한 다양한 고객 니즈에 대응하기 위해 QLC(쿼드러플레벨셀) 생태계를 확대한다. 전력 효율도 개선해 고객들의 친환경 경영에 기여해 나갈 계획이다.

삼성전자는 D램과 관련해서도 '5세대 10나노급(1b) D램', '8세대/9세대 V낸드'를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개했다.

삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다"며 "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화(Co-evolution)하며 발전해 나갈 것"이라고 밝혔다.

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 시스템LSI사업부장 박용인 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공
5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 시스템LSI사업부장 박용인 사장이 발표를 하고 있는 모습. 사진=삼성전자 제공

삼성전자는 데이터 인텔리전스(Data Intelligence)를 발전시킬 미래 D램 솔루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술을 공개했다.

삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술의 성장을 위해 글로벌 IT 기업들과 협력해 나가겠다고 밝혔다.

또 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 할 예정이다.

삼성전자는 내년 '5세대 10나노급 D램'을 양산하는 한편, 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이다.

또 차량의 첨단화, 전동화에 따른 고성능 메모리 필요성이 더욱 커지고 있는 상황에서 삼성전자는 LPDDR5X, GDDR7, Shared Storage 등 차세대 메모리 솔루션을 제공해 모빌리티 혁신을 이루어 나가겠다고 밝혔다.

삼성전자는 시스템반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다고 의지도 밝혔다.

시스템LSI사업부장 박용인 사장은 "삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 '통합 솔루션 팹리스'가 될 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 4차 산업혁명 시대에는 초지능화, 초연결성, 초데이터가 요구된다고 전망하고, 이를 위해 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다고 했다.

SoC에서는 NPU(Neural Processing Unit), 모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 향상시키는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 CPU, GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력 강화할 계획이다.

또, 사람의 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고, 사람의 오감(미각, 후각, 청각, 시각, 촉각)을 감지하고 구현할 수 있는 센서도 개발할 예정이다.

행사에선 차세대 차량용 SoC '엑시노스 오토(Exynos Auto) V920', 5G 모뎀 '엑시노스 모뎀 5300', QD(Quantum Dot) OLED용 DDI 등 신제품들과 프리미엄 모바일AP '엑시노스 2200', 업계 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 '아이소셀(ISOCELL) HP3', '생체인증카드'용 지문인증IC 제품 등이 공개됐다.

올해 '삼성 테크 데이'는 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장을 포함해 800여 명이 참석한 가운데 진행됐다.

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